Σε μια σημαντική πρόοδο για τη βιομηχανία αποθήκευσης, οι Kioxia και SanDisk ανακοίνωσαν την ανάπτυξη της μνήμης flash 3D NAND με την υψηλότερη πυκνότητα στον κόσμο. Η τελευταία τους καινοτομία, με την ονομασία BiCS10, είναι μια συσκευή 3D QLC (Quad-Level Cell) NAND που διαθέτει εκπληκτικά 332 ενεργά στρώματα. Αυτό το επίτευγμα αντιπροσωπεύει ένα σημαντικό άλμα στην τεχνολογία κατακόρυφης στοίβαξης, επιτρέποντας πολύ μεγαλύτερη αποθήκευση δεδομένων εντός μικρότερου φυσικού αποτυπώματος.
Η νέα τεχνολογία BiCS10 θέτει επίσης ένα νέο ρεκόρ για την επιφανειακή πυκνότητα, ξεπερνώντας τα 37 Gbit/mm². Αυτή η μέτρηση, η οποία μετρά την ποσότητα δεδομένων που μπορεί να αποθηκευτεί ανά μονάδα επιφάνειας, υπογραμμίζει την αποδοτικότητα και τη συμπαγή σχεδίαση της νέας συσκευής. Μια τόσο υψηλή πυκνότητα είναι ζωτικής σημασίας για την κάλυψη της συνεχώς αυξανόμενης ζήτησης για περισσότερη αποθήκευση σε μια ποικιλία εφαρμογών, από τα ηλεκτρονικά είδη ευρείας κατανάλωσης έως τα κέντρα δεδομένων επιχειρήσεων.
Συνεργατικό περιεχόμενοΠαιχνίδια έως -90%
Άμεση παράδοση κωδικών στο Instant Gaming
Δες προσφορές →Πέρα από την χωρητικότητα, η συσκευή BiCS10 υπόσχεται εντυπωσιακές βελτιώσεις στην απόδοση. Υποστηρίζει ταχύτητα διασύνδεσης έως και 4.800 MT/s (mega-transfers per second), αυξάνοντας σημαντικά τους ρυθμούς μεταφοράς δεδομένων. Αυτή η ταχύτητα είναι ζωτικής σημασίας για εφαρμογές που απαιτούν γρήγορη πρόσβαση σε μεγάλα σύνολα δεδομένων, όπως η τεχνητή νοημοσύνη, οι υπολογιστές υψηλής απόδοσης και τα προηγμένα παιχνίδια.
Η εισαγωγή του BiCS10 υπογραμμίζει τη συνεχή καινοτομία στην τεχνολογία flash NAND, που οφείλεται στην ανάγκη για πιο αποδοτικές, ταχύτερες και πυκνότερες λύσεις αποθήκευσης. Αυτή η ανακάλυψη πιθανότατα θα ανοίξει το δρόμο για τις μονάδες στερεάς κατάστασης (SSD) επόμενης γενιάς και άλλα προϊόντα αποθήκευσης, προσφέροντας στους χρήστες και τις επιχειρήσεις πρωτοφανείς δυνατότητες στον χειρισμό και την αποθήκευση δεδομένων. Η συνεργασία μεταξύ της Kioxia και της SanDisk συνεχίζει να διευρύνει τα όρια του τι είναι δυνατό στην τεχνολογία μνήμης.
